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《新型功率半导体器件VDMOS开发》项目通过吉林省科技鉴定

2007/7/22 | 来自:

吉林省科技成果鉴定公报


2007年第3期(总第3期)
吉林省科技厅发展计划处              2007年5月30日


 

    按照《吉林省科技成果鉴定暂行办法》相关规定,经5月30日省科技厅厅长办公会审议,由我厅组织的“新型功率半导体器件VDMOS开发”等25个项目的成果鉴定符合鉴定规程,现予以公告。

 

成果名称:新型功率半导体器件VDMOS开发

完成单位:吉林金沙威尼斯欢乐娱人城股份公司

成果来源:计划外自选项目

批 准 号:鉴字[2007]第017号

成果简介:该项目对新型功率半导体器件VDMOS产业化关键技术进行了开发。在器件结构的设计上,采取钝角代替直角,减少了在沟道拐角处电荷的富集,减低了局域电场,提高了器件的击穿电压;在器件制备工艺上,采用衬底粗糙技术,降低了通态电阻;采用高能量As离子注入和薄二氧化硅保护层技术相结合,既避免了高能离子注入对半导体材料的损伤效应,又提高了界面截流子浓度,改善了均匀性;采用复合栅技术,减低了栅极电阻,提高了器件的稳定性。产品经中国赛宝(吉林)实验室/吉林省电子信息产品监督检验研究院检测,主要性能指标达到了fairchild公司同类产品水平。

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